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Electrical and Optical Properties of SiOC films with Low Dielectric Constant

机译：低介电常数SiOC薄膜的电学和光学性质

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We have prepared the SiOC film by IGPCVD method. The carbon concentration in SiOC film is controlled with a mixture of bis-trimethylsilylmethane (BTMSM) and oxygen gases. We have studied the relation between the carbon concentration and the optical band-gap, relation between the optical band gap and the dielectric constant. The optical band gap increased with carbon concentration and the dielectric constant decreases as the optical band gap increases. The mechanism of lowering dielectric constant with energy gap was discussed by using Perm Model.
机译：我们已经通过IGPCVD方法制备了SiOC膜。 SiOC膜中的碳浓度由双三甲基甲硅烷基甲烷（BTMSM）和氧气的混合物控制。我们研究了碳浓度与光学带隙之间的关系，光学带隙与介电常数之间的关系。光学带隙随碳浓度而增加，并且介电常数随光学带隙的增加而减小。利用彼尔姆模型讨论了随着能隙降低介电常数的机理。

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