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【24h】

Through-Silicon Stroboscopic Characterization of an Oscillating MEMS Thermal Actuator Using Supercontinuum Interferometry

机译：使用超连续谱干涉法的振荡式MEMS热执行器的硅频闪特性

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We measured the surface profile of the hidden face of a thermally actuated oscillating 4-μm-thick silicon microelectromechanical system (MEMS) bridge. To do this, we employed a stroboscopically synchronized supercontinuum light source incorporated into a scanning low-coherence interferometer. The instrument exploited the near-infrared part (1.1–1.7 μm) of the emitted spectrum and a camera sensitive to near infrared. The MEMS bridge was driven with 6.8-V sinusoidal voltage at 10 Hz, which resulted in oscillation amplitudes of 1.50 ± 0.07 μm and 1.35 ± 0.07 μm for the top and bottom surfaces, respectively. We believe this technique opens up new possibilities for validating simulation effort as well as for qualifying new device designs.
机译：我们测量了热激励振荡的4μm厚硅微机电系统（MEMS）桥的隐藏面的表面轮廓。为此，我们采用了频闪同步超连续谱光源，该光源已并入扫描低相干干涉仪中。该仪器利用了发射光谱的近红外部分（1.1–1.7μm）和一台对近红外敏感的照相机。 MEMS电桥由6.8V正弦电压以10Hz的频率驱动，其上，下表面的振荡幅度分别为1.50±0.07μm和1.35±0.07μm。我们相信，这项技术为验证仿真工作以及验证新设备设计开辟了新的可能性。

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