...
  • 主题
高级搜索  >
历史搜索 清空历史
首页> 外文期刊>Microelectronic Engineering >Observation of temperature effect on electrical properties of novel Au/Bi0.7Dy0.3FeO3/ZnO/p-Si thin film MIS capacitor for MEMS applications
【24h】

Observation of temperature effect on electrical properties of novel Au/Bi0.7Dy0.3FeO3/ZnO/p-Si thin film MIS capacitor for MEMS applications

机译：温度对MEMS应用新型Au / Bi0.7Dy0.3FeO3 / ZnO / p-Si薄膜MIS电容器电学性能的影响

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
           
页面导航
  • 摘要
  • 著录项
  • 相似文献
  • 相关主题

摘要

In this work thedependence of electrical properties on operation temperature (27 degrees C to 200 degrees C) of Au-Cr/Bi0.7Dy0.3FeO3 (BDFO)/ZnO/p-Si (MIS device) are discussed. The thin film of BDFO was deposited by pulsed laser deposition (PLD) on p-Si. From the electrical characterization, the devices properties like ideality factor (eta), barrier height) (BH) of Au-Cr/BDFO/ZnO/p-Si MIS were determined. The values of eta and BH were found to be 134.and 0.86 eV at 200 degrees C and 2.16 and 0.30 eV; respectively, at room temperature (27 degrees C). The leakage current conduction mechanism of the device was investigated and found to be Schottky emission (SE) in the low electric field (<0.92 MV cm(-1)) regime and trap assisted Poole-Frenkel (PF) mechanism for high electric field regime. The coexistence of ferroelectric and ferromagnetic coupling and excellent dielectric properties in multiferroic BDFO offers potential in the field of memory devices; sensing and energy harvesting (cantilevers). (C) 2016 Elsevier B.V. All rights reserved.
机译：在这项工作中，讨论了电性能对Au-Cr / Bi0.7Dy0.3FeO3（BDFO）/ ZnO / p-Si（MIS器件）的工作温度（27摄氏度至200摄氏度）的依赖性。 BDFO薄膜通过脉冲激光沉积（PLD）沉积在p-Si上。根据电学特征，确定了Au-Cr / BDFO / ZnO / p-Si MIS的器件特性，例如理想因子（η），势垒高度（BH）。发现在200摄氏度时eta和BH的值为134.和0.86 eV，而在2.16和0.30 eV时为。分别在室温（27摄氏度）下。研究了该设备的泄漏电流传导机理，发现其在低电场（<0.92 MV cm（-1））态下为肖特基发射（SE），而在高电场态下为陷阱辅助的Poole-Frenkel（PF）机制。铁电和铁磁耦合的共存以及多铁性BDFO中优异的介电性能为存储器件领域提供了潜力。感应和能量收集（悬臂）。 （C）2016 Elsevier B.V.保留所有权利。

著录项

  • 来源
    《Microelectronic Engineering》 |2017年第1期|55-61|共7页
  • 作者

    Bhatia Deepak; Roy Sandipta; Nawaz S.; Meena R. S.; Palkar V. R.;

  • 作者单位

    Indian Inst Technol, Dept Elect Engn, Bombay 400076, Maharashtra, India|Indian Inst Technol, Ctr Excellence Nanoelect, Bombay 400076, Maharashtra, India;

    Indian Inst Technol, Ctr Res Nanotechnol & Sci, Bombay 400076, Maharashtra, India;

    Indian Inst Technol, Ctr Res Nanotechnol & Sci, Bombay 400076, Maharashtra, India;

    Rajasthan Tech Univ, Dept Elect Engn, Kota 324010, India;

    Indian Inst Technol, Dept Elect Engn, Bombay 400076, Maharashtra, India|Indian Inst Technol, Ctr Excellence Nanoelect, Bombay 400076, Maharashtra, India;

  • 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);美国《生物学医学文摘》(MEDLINE);
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类
  • 关键词

    BDFO/ZnO; PLD; Multiferroic; Ideality factor; Barrier height;

    机译：BDFO / ZnO;PLD;多铁性;理想因子;势垒高度;

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

  • 客服微信

  • 服务号