45nmの液浸露光で深刻化ウエーハ・エッジの欠陥を検査

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45nmの液浸露光で深刻化ウエーハ・エッジの欠陥を検査

机译：45nm浸没式曝光加强了晶片边缘缺陷的检查

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ウエーハ端（ウエーハ・エッジ）の検査の重要性が高まっている。これまで主にウエーハ・メーカーが必要とする検査だったが，LSIメーカーがチップ製造工程で活用する必要が出てきた。45nm以降での液浸露光の導入によって，ウエーハ・エッジの欠陥が歩留まりを低下させる可能性が高まるためである。ここへ来て，検査装置最大手の米KLA-Tencor Corp．も，エッジ欠陥検査装置を市場投入した。連載の第3回は，こうしたウエーハ・エッジの欠陥検査手法について紹介する。

机译：晶圆边缘的检查变得越来越重要。到目前为止，这主要是晶圆制造商需要进行的检查，但是现在LSI制造商有必要在芯片制造过程中使用它。这是因为在45 nm之后引入浸没式曝光会增加晶圆边缘缺陷会降低成品率的可能性。美国最大的检查设备KLA-Tencor Corp.来到这里。还向市场推出了边缘缺陷检查设备。在本系列的第三部分中，我们将介绍这种晶片边缘缺陷检查方法。

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《日経マイクロデバイス》 |2007年第265期|69-74|共6页
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原文格式 PDF
正文语种 jpn
中图分类无线电电子学、电信技术;
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