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Chemical vapour etching of silicon and porous silicon: silicon solar cells and micromachining applications

机译：硅和多孔硅的化学气相蚀刻：硅太阳能电池和微加工应用

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In this work, we used HNO_3/HF Vapour Etching (VE) of silicon (Si) wafers for the formation of different porous structures. Depending on the volume ratio of the HNO_3/HF acid mixture, we can obtain Porous Silicon (PS) layers or a (NH_4)_2SiF_6 like powder phase. These two kind of porous structures may be used in silicon solar cells and in micromachining applications. The VE technique allows producing thick porous layers (>100 μm) in short times. Simple masking films enable to selectively groove Si wafers, leading to the formation of holes and channels of different sizes suitable for their application in micromachining. The various grooving profiles were investigated by Scanning electron microscopy (SEM).
机译：在这项工作中，我们使用硅（Si）晶片的HNO_3 / HF气相蚀刻（VE）来形成不同的多孔结构。根据HNO_3 / HF酸混合物的体积比，我们可以获得多孔硅（PS）层或（NH_4）_2SiF_6类似粉末相。这两种多孔结构可用于硅太阳能电池和微机械加工应用中。 VE技术可以在短时间内生产出厚的多孔层（> 100μm）。简单的掩膜可以选择性地在硅晶片上开槽，从而形成适合其在微加工中应用的不同尺寸的孔和通道。通过扫描电子显微镜（SEM）研究了各种开槽轮廓。

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