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Spin-Transfer Torque Memories: Devices, Circuits, and Systems

机译：自旋转移扭矩存储器：设备，电路和系统

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Spin-transfer torque magnetic memory (STT-MRAM) has gained significant research interest due to its nonvolatility and zero standby leakage, near unlimited endurance, excellent integration density, acceptable read and write performance, and compatibility with CMOS process technology. However, several obstacles need to be overcome for STT-MRAM to become the universal memory technology. This paper first reviews the fundamentals of STT-MRAM and discusses key experimental breakthroughs. The state of the art in STT-MRAM is then discussed, beginning with the device design concepts and challenges. The corresponding bit-cell design solutions are also presented, followed by the STT-MRAM cache architectures suitable for on-chip applications.
机译：自旋转移扭矩磁存储器（STT-MRAM）的非易失性和零待机泄漏，近乎无限的耐用性，出色的集成密度，可接受的读写性能以及与CMOS工艺技术的兼容性，已引起了广泛的研究兴趣。但是，要使STT-MRAM成为通用存储技术，还需要克服几个障碍。本文首先回顾了STT-MRAM的基础知识，并讨论了关键的实验突破。然后从设备设计的概念和挑战开始讨论STT-MRAM中的最新技术。还介绍了相应的位单元设计解决方案，然后介绍适用于片上应用的STT-MRAM缓存体系结构。

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