Binary thin films deposited by ion beams ; simple estimate of the near-surface and bulk composition

G.I.Grigorov; K.G.Grigorov; J.L.Vignes; J.P.Langeron; R.Sporken

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Binary thin films deposited by ion beams ; simple estimate of the near-surface and bulk composition

机译：离子束沉积的二元薄膜;简单估算近地表和松散成分

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Simple estimate of the near-surface and film-bulk composition in binary films deposited by ions of the constituent species is given. An example illustrates the near-surface composition profiles in Si-C films, when deposited by Si and C ions and by C ions only, the Si atoms being deposited as low-energy particles.%L'article décrit un modèle simple d'estimation de la composition, en surface et dans le volume de couches minces binaires déposées à partir d'ions des deux constituants. Le modèle est appliqué dans le cas de couches Si-C, déposées par ions de carbone et de silicium et les résultats obtenus sont comparés à ceux d'un dépôts formé lorsque seulement l'un des constituants est ionisé (C) alors que l'autre (Si) reste neutre.

机译：给出了由构成物种的离子沉积的二元薄膜中近表面和薄膜本体组成的简单估计。一个示例说明了当通过Si和C离子以及仅通过C离子沉积时，Si原子以低能粒子的形式沉积时，Si-C膜中的近表面成分分布。％由两种成分的离子沉积而来的二元薄层的表面和体积中的成分组成。该模型适用于通过碳和硅离子沉积的Si-C层，并将获得的结果与仅一种成分被电离（C）时形成的沉积物进行比较。其他（Si）保持中性。

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来源
《Le Vide》 |1996年第280期|p.244-247|共4页
作者
G.I.Grigorov; K.G.Grigorov; J.L.Vignes; J.P.Langeron; R.Sporken;
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作者单位

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原文格式 PDF
正文语种 eng
中图分类真空技术;
关键词
thin films deposited by ions; binary films; concentration profiles;

机译：离子沉积薄膜;二元薄膜;浓度分布;

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