摘要：场效应晶体管是一种重要的器件,在处理器和存储器中具有重要的应用.传统场效应晶体管,通过调节栅极电压进行沟道控制,从而改变晶体管的源极和漏极之间的导通的特性.石墨烯是一种由碳原子构成的二维材料,具备特殊性能:载流子(电子和空穴)有效质量小,迁移率高,导电能力强.类似地,石墨具备良好的导电性,在结构上都由石墨层构成.由石墨所制备场效应晶体管,通过调节栅极电压和外加磁场,对晶体管的输运进行调控.实验中测得,在外加磁场下,其纵向的电阻随着栅极电压的改变出现一个峰值.峰值的大小和位置与电场和磁场关系密切,变化非常显著.因此,石墨场效应晶体管,在传统电场之外,附加磁场的作用,将电场和磁场共同调控晶体管的输运特性.该现象为新型的场效应晶体管的设计提供可能.
