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Journal of Materials Science. Materials in Electronics
>2007年第7期
Journal of Materials Science. Materials in Electronics
SCI
EI
CA
中文名称:材料科学杂志。电子材料
ISSN:
0957-4522
出版周期:
1.020
发文量:13587
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1.
Early stage donor-vacancy clusters in germanium
机译:
锗的早期供体-空位簇
作者:
Jose Coutinho
;
Vitor J. B. Torres
;
Sven Oeberg
;
Alexandra Carvalho
;
Colin Janke
;
Robert Jones
;
Patrick R. Briddon
期刊名称:
《Journal of Materials Science. Materials in Electronics》
|
2007年第7期
2.
Local yibrational modes of N_2-O_n defects in Cz-Silicon
机译:
Cz-硅中N_2-O_n缺陷的局部振动模式
作者:
Naomi Fujita
;
Robert Jones
;
Sven Oeberg
;
Patrick R. Briddon
期刊名称:
《Journal of Materials Science. Materials in Electronics》
|
2007年第7期
3.
A DLTS study on plasma-hydrogenated n-type high-resistivity magnetic Cz silicon
机译:
等离子体氢化n型高阻磁性Cz硅的DLTS研究
作者:
Y. L. Huang
;
E. Simoen
;
C. Claeys
;
J. M. Rafi
;
P. Clauws
期刊名称:
《Journal of Materials Science. Materials in Electronics》
|
2007年第7期
4.
Iron-aluminium pair reconfiguration processes in SiGe alloys
机译:
SiGe合金中的铁铝对重整工艺
作者:
P. Kruszewski
;
A. Mesli
;
L. Dobaczewski
;
N. V. Abrosimov
;
V. P. Markevich
;
A. R. Peaker
期刊名称:
《Journal of Materials Science. Materials in Electronics》
|
2007年第7期
5.
Formation rate of vacancy-oxygen complexes in heat-treated Czochralski grown silicon under gamma-irradiation
机译:
γ辐照下热处理的切克劳斯基生长硅中空位-氧络合物的形成速率
作者:
V. V. Emtsev
;
V. V. Emtsev Jr
;
G. A. Oganesyan
期刊名称:
《Journal of Materials Science. Materials in Electronics》
|
2007年第7期
6.
Ab initio investigation of charge transfer technique for control of Schottky contacts in CNTs
机译:
从头开始研究用于控制CNT中肖特基接触的电荷转移技术
作者:
D. Casterman
;
M. M. De Souza
期刊名称:
《Journal of Materials Science. Materials in Electronics》
|
2007年第7期
7.
Analysis of the (100) Si/La AlO_3 structure by electron spin resonance: nature of the interface
机译:
电子自旋共振分析(100)Si / La AlO_3结构:界面性质
作者:
K. Clemer
;
A. Stesmans
;
V. V. Afanasev
;
L. F. Edge
;
D. G. Schlom
期刊名称:
《Journal of Materials Science. Materials in Electronics》
|
2007年第7期
8.
The formation, migration, agglomeration and annealing of vacancy-type defects in self-implanted Si
机译:
自注入硅空位型缺陷的形成,迁移,团聚和退火
作者:
P. G. Coleman
;
R. E. Harding
;
G. Davies
;
J. Tan
;
J. Wong-Leung
期刊名称:
《Journal of Materials Science. Materials in Electronics》
|
2007年第7期
9.
Germanium content dependence of the leakage current of recessed SiGe source/drain junctions
机译:
锗含量对凹陷的SiGe源/漏结泄漏电流的依赖性
作者:
Eddy Roger Simoen
;
Mireia Bargallo Gonzalez
;
Geert Eneman
;
Peter Verheyen
;
Aldo Benedetti
;
Hugo Bender
;
Roger Loo
;
Cor Claeys
期刊名称:
《Journal of Materials Science. Materials in Electronics》
|
2007年第7期
10.
Infrared absorption spectra of defects in carbon doped neutron-irradiated Si
机译:
碳掺杂中子辐照硅中缺陷的红外吸收光谱
作者:
C. A. Londos
;
G. D. Antonaras
;
M. S. Potsidi
;
D. N. Aliprantis
;
A. Misiuk
期刊名称:
《Journal of Materials Science. Materials in Electronics》
|
2007年第7期
11.
The response of open-volume defects in Si_(0.92)Ge_(0.08) to annealing in nitrogen or oxygen ambient
机译:
Si_(0.92)Ge_(0.08)中的开孔缺陷对氮或氧环境中退火的响应
作者:
D. A. Abdulmalik
;
P. G. Coleman
;
H. Z. Su
;
Y. M. Haddara
;
A. P. Knights
期刊名称:
《Journal of Materials Science. Materials in Electronics》
|
2007年第7期
12.
Doped silicon under uniaxial tensile strain investigated by PAC
机译:
PAC研究单轴拉伸应变下的掺杂硅
作者:
Nicole Santen
;
Reiner Vianden
期刊名称:
《Journal of Materials Science. Materials in Electronics》
|
2007年第7期
13.
Oxygen defects in irradiated germanium
机译:
辐照锗中的氧缺陷
作者:
A. Carvalho
;
R. Jones
;
V. J. B. Torres
;
J. Coutinho
;
V. Markevich
;
S. Oeberg
;
P. R. Briddon
期刊名称:
《Journal of Materials Science. Materials in Electronics》
|
2007年第7期
14.
Characterization of intersubband devices combining a nonequilibrium many body theory with transmission spectroscopy experiments
机译:
结合非平衡多体理论和透射光谱实验的子带间设备的表征
作者:
M. F. Pereira Jr
;
R. Nelander
;
A. Wacker
;
D. G. Revin
;
M. R. Soulby
;
L. R. Wilson
;
J. W. Cockburn
;
A. B. Krysa
;
J. S. Roberts
;
R. J. Airey
期刊名称:
《Journal of Materials Science. Materials in Electronics》
|
2007年第7期
15.
Infrared absorption and slow positron investigation of hydrogen plasma induced platelets in crystalline germanium
机译:
结晶锗中氢等离子体诱导的血小板的红外吸收和慢正电子研究
作者:
J. Lauwaert
;
J. De Baerdemaeker
;
C. Dauwe
;
P. Clauws
期刊名称:
《Journal of Materials Science. Materials in Electronics》
|
2007年第7期
16.
Ab initio investigation of boron diffusion paths in germanium
机译:
从头开始研究硼在硼中的扩散路径
作者:
C. Janke
;
R. Jones
;
S. Oeberg
;
P. R. Briddon
期刊名称:
《Journal of Materials Science. Materials in Electronics》
|
2007年第7期
17.
Comparative studies of defect production in heavily doped silicon under fast electron irradiation at different temperatures
机译:
不同温度下快速电子辐照下重掺杂硅中缺陷产生的比较研究
作者:
V. V. Emtsev
;
P. Ehrhart
;
D. S. Poloskin
;
K. V. Emtsev
期刊名称:
《Journal of Materials Science. Materials in Electronics》
|
2007年第7期
18.
Lifetime and leakage current considerations in metal-doped germanium
机译:
金属掺杂锗的寿命和泄漏电流注意事项
作者:
E. Simoen
;
C. Claeys
;
S. Sioncke
;
J. Van Steenbergen
;
M. Meuris
;
S. Forment
;
J. Vanhellemont
;
P. Clauws
;
A. Theuwis
期刊名称:
《Journal of Materials Science. Materials in Electronics》
|
2007年第7期
19.
EPR characterization of defects in m-HfO_2
机译:
EPR表征m-HfO_2中的缺陷
作者:
Sandra Wright
;
R. C. Barklie
期刊名称:
《Journal of Materials Science. Materials in Electronics》
|
2007年第7期
20.
High boron incorporation in selective epitaxial growth of SiGe layers
机译:
在选择性外延生长SiGe层中高硼掺入
作者:
R. Ghandi
;
M. Kolahdouz
;
J. Hallstedt
;
Jun Lu
;
R. Wise
;
H. Wejtmans
;
M. Oestling
;
H. H. Radamson
期刊名称:
《Journal of Materials Science. Materials in Electronics》
|
2007年第7期
21.
Atomic scale simulations of donor-vacancy pairs in germanium
机译:
锗中供体-空位对的原子尺度模拟
作者:
A. Chroneos
;
R. W. Grimes
;
C. Tsamis
期刊名称:
《Journal of Materials Science. Materials in Electronics》
|
2007年第7期
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