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Journal of Materials Science. Materials in Electronics
>2008年第4期
Journal of Materials Science. Materials in Electronics
SCI
EI
CA
中文名称:材料科学杂志。电子材料
ISSN:
0957-4522
出版周期:
1.020
发文量:13587
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1.
Creep property of composite solders reinforced by nano-sized particles
机译:
纳米颗粒增强的复合焊料的蠕变性能
作者:
Yaowu Shi
;
Jianping Liu
;
Zhidong Xia
;
Yongping Lei
;
Fu Guo
;
Xiaoyan Li
期刊名称:
《Journal of Materials Science. Materials in Electronics》
|
2008年第4期
2.
Microstructure and dielectric properties of BaZr_xTi_(1-x)O_3 ceramics
机译:
BaZr_xTi_(1-x)O_3陶瓷的微观结构和介电性能
作者:
Hongwei Chen
;
Chuanren Yang
;
Chunlin Fu
;
Jun Shi
;
Jihua Zhang
;
Wenjian Leng
期刊名称:
《Journal of Materials Science. Materials in Electronics》
|
2008年第4期
3.
Modeling vacancy injection from the silicon/silicon-nitride interface
机译:
从硅/硅氮化物界面模拟空位注入
作者:
Mohammad Hasanuzzaman
;
Yaser M. Haddara
期刊名称:
《Journal of Materials Science. Materials in Electronics》
|
2008年第4期
4.
Thermal creep and fracture behaviors of the lead-free Sn-Ag-Cu-Bi solder interconnections under different stress levels
机译:
无应力Sn-Ag-Cu-Bi焊料互连在不同应力水平下的热蠕变和断裂行为
作者:
X. P. Zhang
;
L. M. Yin
;
C. B. Yu
期刊名称:
《Journal of Materials Science. Materials in Electronics》
|
2008年第4期
5.
Determination of carrier mobility vs resistivity relation in Czochralski-grown n- and p-type Si_xGe_(1-x) (0.93 < x < 0.96) single crystals
机译:
Czochralski生长的n型和p型Si_xGe_(1-x)(0.93
作者:
I. Yonenaga
期刊名称:
《Journal of Materials Science. Materials in Electronics》
|
2008年第4期
6.
PTCR characteristics of semiconducting barium titanate ceramics produced by high-energy ball-milling
机译:
高能球磨制备半导体钛酸钡陶瓷的PTCR特性
作者:
K. Park
;
J.-G. Ha
;
C.-W. Kim
;
Jun-Gyu Kim
期刊名称:
《Journal of Materials Science. Materials in Electronics》
|
2008年第4期
7.
Raman scattering studies of ultrashallow Sb implants in strained Si
机译:
应变硅中超浅Sb植入物的拉曼散射研究
作者:
L. OReilly
;
N. S. Bennett
;
P. J. McNally
;
B. J. Sealy
;
N. E. B. Cowern
;
A. Lankinen
;
T. O. Tuomi
期刊名称:
《Journal of Materials Science. Materials in Electronics》
|
2008年第4期
8.
Thermal annealing behaviour on Schottky barrier parameters and structural properties of Au contacts to n-type GaN
机译:
热退火行为对肖特基势垒参数和Au接触n型GaN的结构性能的影响
作者:
K. Jagadeswara Reddy
;
Varra Rajagopal Reddy
;
P. Narasimha Reddy
期刊名称:
《Journal of Materials Science. Materials in Electronics》
|
2008年第4期
9.
Synthesis and luminescent properties of Sr_4Al_(14)O_25:Eu~(2+) blue-green emitting phosphor for white light-emitting diodes (LEDs)
机译:
Sr_4Al_(14)O_25:Eu〜(2+)蓝绿色荧光粉的合成及发光特性
作者:
Zhanchao Wu
;
Jianxin Shi
;
Jing Wang
;
Menglian Gong
;
Qiang Su
期刊名称:
《Journal of Materials Science. Materials in Electronics》
|
2008年第4期
10.
Investigation on the synthesis of (Zn_(1-x)Mg_x)TiO_3 and the modulation effect of CaTiO_3
机译:
(Zn_(1-x)Mg_x)TiO_3的合成及CaTiO_3的调制效应研究
作者:
Ying Yuan
;
Shuren Zhang
;
Xiaohua Zhou
;
Longcheng Xiang
期刊名称:
《Journal of Materials Science. Materials in Electronics》
|
2008年第4期
11.
Synthesis and luminescent characterization of YAl_3(BO_3)_4:Tb~(3+) phosphors
机译:
YAl_3(BO_3)_4:Tb〜(3+)荧光粉的合成及发光特性
作者:
Zhouyun Ren
;
Chunyan Tao
;
Hua Yang
期刊名称:
《Journal of Materials Science. Materials in Electronics》
|
2008年第4期
12.
Thickness dependence of refractive index and optical gap of PMMA layers prepared under electrical field
机译:
电场作用下制备的PMMA层的折射率与光学间隙的厚度依赖性
作者:
V. Svorcik
;
O. Lyutakov
;
I. Huttel
期刊名称:
《Journal of Materials Science. Materials in Electronics》
|
2008年第4期
13.
Characteristics of sol-gel dip coated Ceria films
机译:
溶胶-凝胶浸涂二氧化铈薄膜的特性
作者:
K. R. Murali
期刊名称:
《Journal of Materials Science. Materials in Electronics》
|
2008年第4期
14.
Size effects in small scaled lead-free solder joints
机译:
小型无铅焊点的尺寸效应
作者:
P. Zimprich
;
A. Betzwar-Kotas
;
G. Khatibi
;
B. Weiss
;
H. Ipser
期刊名称:
《Journal of Materials Science. Materials in Electronics》
|
2008年第4期
15.
Microstructure and dielectric properties of BaTiO_3-based X7R ceramics
机译:
BaTiO_3基X7R陶瓷的微观结构和介电性能
作者:
Liying Chen
;
Shunhua Wu
;
Shuang Wang
;
Guoqing Wang
期刊名称:
《Journal of Materials Science. Materials in Electronics》
|
2008年第4期
16.
Modified thermoelectric figure of merit estimated from enhanced mobility of [100] oriented beta-FeSi_2 thin film
机译:
根据[100]取向的β-FeSi_2薄膜迁移率的提高估算出热电性能的修正值
作者:
Hirofumi Kakemoto
;
Tohru Higuchi
;
Hajime Shibata
;
Satoshi Wada
;
Takaaki Tsurumi
期刊名称:
《Journal of Materials Science. Materials in Electronics》
|
2008年第4期
17.
Dependence of Cu/In ratio of structural and electrical characterization of CuInS_2 crystal
机译:
Cu / In比对CuInS_2晶体结构和电学特性的影响
作者:
K. Yoshino
;
K. Nomoto
;
A. Kinoshita
;
T. Ikari
;
Y. Akaki
;
T. Yoshitake
期刊名称:
《Journal of Materials Science. Materials in Electronics》
|
2008年第4期
18.
Dielectric and piezoelectric characterization of PSZT-BT ceramics for capacitor applications
机译:
用于电容器的PSZT-BT陶瓷的介电和压电特性
作者:
Ramam Koduri
;
Jose Rodrigo Anfossi Orellana
期刊名称:
《Journal of Materials Science. Materials in Electronics》
|
2008年第4期
19.
Electrical and morphological characterization of polyaniline/ sulfonated poly(arylene ether sulfone) composite films
机译:
聚苯胺/磺化聚(亚芳基醚砜)复合薄膜的电学和形貌表征
作者:
Nurdan D. Sankir
;
Mehmet Sankir
;
Richard O. Claus
期刊名称:
《Journal of Materials Science. Materials in Electronics》
|
2008年第4期
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