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GaAs epitaxy on Si substrates: modern status of research and engineering

机译：硅衬底上的砷化镓外延：研究和工程的现代地位

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While silicon and gallium arsenide are dominant materials in modern micro- and nanoelectronics, devices fabricated from them still use Si and GaAs substrates only separately. Integrating these materials on the (highest efficiency) substrate of Si has been the subject of much research effort for more than twenty years. This review systematizes and generalizes the current understanding of the fundamental physical mechanisms governing the epitaxial growth of GaAs and its related III-V compounds on Si substrates. Basic techniques available for improving the quality of such heterostructures are described, and recent advances in fabricating device-quality A(III)B(V)/Si heterostructures and devices on their bases are also presented.
机译：尽管硅和砷化镓是现代微电子和纳米电子学中的主要材料，但由它们制成的器件仍仅分别使用Si和GaAs衬底。在20多年来，将这些材料集成到Si（最高效率）的衬底上一直是许多研究工作的主题。这篇综述系统化并概括了目前对控制GaAs及其相关III-V化合物在Si衬底上外延生长的基本物理机制的理解。描述了可用于改善此类异质结构质量的基本技术，并且还介绍了制造器件质量的A（III）B（V）/ Si异质结构和基于其的器件的最新进展。

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