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一种在砷化镓衬底上外延生长锑化镓的方法

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摘要

本发明公开了一种在砷化镓衬底上外延生长GaSb的方法，该方法采用三缓冲层生长工艺，具体包括：A)580℃条件下在GaAs衬底上生长GaAs缓冲层；B)550℃条件下在生长的GaAs缓冲层上生长AlSb缓冲层；C)450℃条件下AlSb缓冲层上长GaSb/AlSb超晶格缓冲层；D)400-500℃条件下在生长的GaSb/AlSb超晶格缓冲层上生长GaSb外延层。利用本发明，将双缓冲层工艺改变为三缓冲层工艺，先在GaAs衬底上生长GaAs缓冲层，然后在生长的GaAs缓冲层上生长AlSb缓冲层，在AlSb缓冲层上生长GaSb/AlSb超晶格缓冲层，最后在生长的GaSb/AlSb超晶格缓冲层上生长GaSb外延层，有效的减少了穿通位错，从而提高了GaSb外延层的光学质量。

著录项

  • 公开/公告号CN100495646C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2009-06-03

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院半导体研究所;

    申请/专利号CN200610165547.2

  • 发明设计人 郝瑞亭;周志强;任正伟;徐应强;牛智川;

    申请日2006-12-21

  • 分类号H01L21/203(20060101);

  • 代理机构11021 中科专利商标代理有限责任公司;

  • 代理人周长兴

  • 地址 100083 北京市海淀区清华东路甲35号

  • 入库时间 2022-08-23 09:02:30

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2011-03-09

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/203 授权公告日:20090603 终止日期:20100121 申请日:20061221

    专利权的终止

  • 2009-06-03

    授权

    授权

  • 2008-08-20

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2008-06-25

    公开

    公开

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