砷化镓气相外延生长反应系统的研究

林耀望; 钟兴儒; 张治平

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一、引言为了重复地、可控地制备高质量的GaAs外延材料,建立一个高气密性,抗强腐蚀性的外延生长反应系统,采用Ga-AsCl3—H2系统是首要的,而且是必不可少的。由于AsCl3具有极强的腐蚀性,能够提供制作反应系统的材料是很少的,只有石英、聚四氟乙烯等材料。虽然氟橡胶具有耐腐蚀,优良的机械弹性等优点,为许多工作者所采用,但是大量事实说明氟橡胶仍经不住AsCl3的强烈腐蚀,并且是外延材料质量低劣的重要原因之一。因此,设计并建立一个高气密性,抗强腐蚀性的外延生长反应系统

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来源
《功能材料》 |1980年第2期|P.55-60|共6页
作者
林耀望; 钟兴儒; 张治平;
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作者单位

中国科学院半导体研究所;

中国科学院半导体研究所;

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正文语种 chi
中图分类 G6;
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