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process for epitaxialen grow a gallium arsenide layer on a gallium arsenide substrate

机译：外延生长在砷化镓衬底上生长砷化镓层的方法

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In the prodn. of a semiconductor crystal from the liquid phase, a gas phase material (I) other than hydrogen and inert gas is allowed to flow, in addn. to a gas atmos. (II) for the liq. phase growth technique, at least immediately before bringing a semiconductor substrate into contact with a liq. melt. Pref. (I) is (a halogen cpd. of) an element present in the substrate or the melt, a H halide or a halogen cpd. of a dopant for the epitaxial layer. The substrate and melt contain AIIIBV cpd(s). In particular, the substrate is GaAs and (II) is hydrogen contg. 7 x 10-5 to 2 x 10-3 mole % arsenic trichloride as (I). Method cleans the substrate surface. It is useful for various semiconductor materials, esp. AIIIBV cpds., e.g. GaAs.

机译：在产品中在液相中形成半导体晶体的过程中，除了氢气和惰性气体之外，还允许气相材料（I）流动。到煤气的气氛。（二）液量。相生长技术，至少在使半导体衬底与液体接触之前。熔化。首选（I）是存在于基材或熔体中的元素（卤素的cpd。），卤化氢或卤素的cpd。外延层的掺杂剂的数量。基材和熔体包含AIIIBV cpd。特别地，衬底是GaAs，而（II）是氢。（I）为7 x 10-5至2 x 10-3摩尔％的三氯化砷。方法清洁基材表面。特别适用于各种半导体材料。 AIIIBV cpds，例如砷化镓

著录项

公开/公告号DE2945333C2

专利类型
公开/公告日1983-12-29

原文格式PDF
申请/专利权人 MITSUBISHI DENKI K.K. TOKYO JP;
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申请/专利号DE19792945333
发明设计人 TAKAMIYA SEBURO SANDA HYOGO JP;TANAKA TOSHIO KAWABE HYOGO JP;SUZAKI WATARU NISHINOMIYA HYOGO JP;
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申请日1979-11-09
分类号C30B19/00;
国家 DE
入库时间 2022-08-22 08:50:26

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