Связь электронных свойств квантовых точек InAs/GaAs, выращенных газофазной эпитаксией, с их структурой

А.П. Горшков; Н.С. Волкова; Д.А. Павлов; Ю.В. Усов; Л.А. Истомин; С.Б. Левичев

首页> 外文期刊>Физика и техника полупроводников >Связь электронных свойств квантовых точек InAs/GaAs, выращенных газофазной эпитаксией, с их структурой

【24h】

Связь электронных свойств квантовых точек InAs/GaAs, выращенных газофазной эпитаксией, с их структурой

机译：量子点的InAs /砷化镓，通过气相外延生长，它们的结构的通信电子性质

获取原文

获取原文并翻译 | 示例

掌桥外文数据库（机构版） >>

开具论文收录证明 >>

文献代查 >>

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

Основываясь на комплексном исследовании структурных и электронных свойств квантовых точек InAs/GaAs, выращенных газофазной эпитаксией при атмосферном давлении, выбрана модель их строения в виде трех сопряженных основаниями усеченных пирамид, учитывающая диффузионное размытие состава со стороны основания и боковой поверхности, а также сегрегацию индия вблизи вершины. Установлено, что волновые функции носителей в основном состоянии локализованы в сравнительно небольшой области квантовой точки вблизи ее вершины.

机译：基于通过气相外延生长的InAs / GaAs量子点的结构和电子特性的综合研究，其结构模型以三个截短的金字塔的三个共轭碱的形式选择，这考虑了从底座和侧面的组合物的扩散模糊，以及印度在顶点附近的偏析。已经确定，载体的波函数主要是在其顶点附近的量子点的相对较小的面积中局部化。

著录项

来源
《Физика и техника полупроводников》 |2018年第12期|共4页
作者
А.П. Горшков; Н.С. Волкова; Д.А. Павлов; Ю.В. Усов; Л.А. Истомин; С.Б. Левичев;
展开▼
作者单位

Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского 603950 Нижний Новгород Россия;

Научно-исследовательский институт химии Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского 603950 Нижний Новгород Россия;

Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского 603950 Нижний Новгород Россия;

Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского 603950 Нижний Новгород Россия;

Научно-исследовательский институт химии Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского 603950 Нижний Новгород Россия;

Научно-исследовательский институт химии Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского 603950 Нижний Новгород Россия;

展开▼
收录信息
原文格式 PDF
正文语种 rus
中图分类半导体物理学;
关键词

相似文献

外文文献
中文文献
专利

1. Effect of Strongly Mismatched GaAs and InAs Inserts in a InAlAs Buffer Layer on the Structural and Optical Properties of Metamorphic InAs(Sb)/InGaAs/InAlAs/GaAs Quantum-Confined Heterostructures [J] . Solovev V. A., Chernov M. Yu, Komkov O. S., JETP Letters . 2019,第6期

机译：强烈不匹配的GaAs和InAs在Inalas缓冲层中的影响在变质InAs（Sb）/ InGaAs / Inalas / GaAs量子限制异质结构的结构和光学性质上
2. Comparative study of photoluminescence for type-Ⅰ InAs/GaAs_(0.89)Sb_(0.11) and type-Ⅱ InAs/GaAs_(0.85)Sb_(0.15) quantum dots [J] . Zhou Chuan, Liang Baolai, Liu Jingtao, Optical Materials . 2019,第Deca期

机译：Ⅰ型InAs / GaAs_（0.89）Sb_（0.11）和Ⅱ型InAs / GaAs_（0.85）Sb_（0.15）量子点的光致发光比较研究
3. GaAsSb layer thickness dependence of arsenic incorporation on InAs/GaAsSb superlattice on InAs substrate grown by metalorganic vapor phase epitaxy for mid-infrared device [J] . Arai Masakazu, Takahashi Kakeru, Yamagata Yuya, Japanese journal of applied physics . 2018,第8s2期

机译：金属有机气相外延法生长InAs衬底上砷掺入GaAsSb层厚度对InAs / GaAsSb超晶格的影响
4. 1.3 μm VCSELs: InGaAs/GaAs, GalnNAs/GaAs multiple quantum wells and InAs/GaAs quantum dots- three candidates as active material [C] . Ph. Gilet, E. Pougeoise, L. Grenouillet, Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers XI; Proceedings of SPIE-The International Society for Optical Engineering; vol.6484 . 2007

机译：1.3μmVCSEL：InGaAs / GaAs，GalnNAs / GaAs多量子阱和InAs / GaAs量子点-三种候选材料作为活性材料
5. Broadband Ultrafast Spectroscopy on Mixed-Dimensional InAs/GaAs Systems =Breitbandige ultraschnelle Spektroskopie an gemischdimensionalen InAs/GaAs-Systemen [D] . Kolarczik, Mirco. 2019

机译：混合尺寸INAS / GAAS系统宽带超快光谱=混合尺寸INAS / GAAS系统的宽带超快光谱
6. Comparative Study of Photoelectric Properties of Metamorphic InAs/InGaAs and InAs/GaAs Quantum Dot Structures [O] . Sergii Golovynskyi, Luca Seravalli, Oleksandr Datsenko, 2017

机译：变质InAs / InGaAs和InAs / GaAs量子点结构的光电性能比较研究
7. Temperature-dependent modulated reflectance and photoluminescence of InAs-GaAs and InAs-InGaAs-GaAs quantum dot heterostructures [O] . Rimkus A, Pozingyte E, Nedzinskas R, 2016

机译：Inas-Gaas和Inas-InGaas-Gaas量子点异质结构的温度依赖性调制反射率和光致发光

Связь электронных свойств квантовых точек InAs/GaAs, выращенных газофазной эпитаксией, с их структурой

摘要

著录项

相似文献

相关主题

期刊订阅