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首页> 外文期刊>The Electrochemical Society interface >N1-NITRIDE AND WIDE BANDGAP SEMICONDUCTORS FOR SENSORS, PHOTONICS, AND ELECTRONICS IV
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N1-NITRIDE AND WIDE BANDGAP SEMICONDUCTORS FOR SENSORS, PHOTONICS, AND ELECTRONICS IV

机译：用于传感器，光子学和电子学的N1-氮化物和宽带隙半导体

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Numerous applications are appearing for wide bandgap semiconductors, including blue/UV light emitters, high temperature/high power electronics, passivation layers for other semiconductors, and various types of sensors. The purpose of this symposium is to bring together the crystal growth, device processing, circuit design and applications communities to discuss basic science and technology issues related to utilization of Ill-nitride based semiconductors. Papers are solicited in the following areas: 1. substrates and bulk growth; 2. epitaxial growth; 3. high growth-rate methods; 4. wet and dry etching techniques; 5. contact technology; 6. fundamental optical, physical, and electrical properties; 7. materials and device characterization; 8. harsh environment sensors, chemical and gas sensors, and other novel applications for wide gap materials; and 9. reliability issues. The program will consist of both invited and contributed papers.
机译：宽带隙半导体的应用越来越广泛，包括蓝/紫外光发射器，高温/高功率电子器件，其他半导体的钝化层以及各种类型的传感器。本次研讨会的目的是召集晶体生长，器件加工，电路设计和应用社区，以讨论与利用基于氮化物的半导体有关的基础科学和技术问题。征集论文的领域包括：1.基材和块状增长; 2.外延生长; 3.高增长率的方法; 4.湿法和干法蚀刻技术; 5.接触技术; 6.基本的光学，物理和电气特性; 7.材料和器件的表征; 8.恶劣环境传感器，化学和气体传感器以及其他用于宽间隙材料的新颖应用; 9.可靠性问题。该计划将包括邀请论文和贡献论文。

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