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Interface polarons in a heterojunction with triangular bending-band

机译：具有三角形弯曲带的异质结中的界面极化子

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The interface polaron states in a heterojunction are discussed by considering an energy-band bending near the interface and the influence of an image potential. The ground state energy and the effective mass of a polaron are variationally calculated. The numerical results for the GaAs/Al_xGa_(1-x)As (x ≥ 0.3) heterojunction are given. It is shown that even though the influences from bulk longitudinal optical (LO) phonons are more important for the heterojunctions with lower Al composition, the contributions from two branches of interface optical (IO) phonons are not negligible. For the heterojunctions with higher Al composition, both the influences from LO phonons and two branches of IO phonons are important. The band-bending plays an important role for the interface localization of polarons, but the influence of the image potential is not essential.
机译：通过考虑界面附近的能带弯曲和图像电势的影响，讨论了异质结中的界面极化子状态。可变地计算基态能量和极化子的有效质量。给出了GaAs / Al_xGa_（1-x）As（x≥0.3）异质结的数值结果。结果表明，尽管对于具有较低Al组成的异质结，体纵向光学（LO）声子的影响更为重要，但界面光学（IO）声子的两个分支的贡献却不可忽略。对于具有较高Al组成的异质结，LO声子和IO声子的两个分支的影响都很重要。带弯曲对于极化子的界面定位起着重要作用，但是图像电势的影响并不是必需的。

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