• 主题
高级搜索  >
历史搜索 清空历史
首页> 外文期刊>Zeitschrift fur Physik, B. Condensed Matter >Electron-phonon scattering in an asymmetric double barrier resonant tunneling structure
【24h】

Electron-phonon scattering in an asymmetric double barrier resonant tunneling structure

机译：非对称双势垒共振隧穿结构中的电子声子散射

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
           
页面导航
  • 摘要
  • 著录项
  • 相似文献
  • 相关主题

摘要

We calculate the electron-phonon scattering rate for an asymmetric double barrier resonant tunneling structure based on dielectric continuum theory, including all phonon modes, and show that interface phonons contribute much more to the scattering rate than do bulk-like LO phonons for incident energies which are approximately within an order of magnitude of the Fermi energy. The maximum scattering rate occurs for incident electron energies near the quantum well resonance. Subband nonparabolicity has a significant influence on electron-phonon scattering in these structures. We show that the relaxation time is comparable to the dwell time of electrons in the quantum well for a typical resonant tunneling structure.
机译：我们基于介电连续体理论计算了非对称双势垒共振隧穿结构的电子-声子散射速率，包括所有声子模式，结果表明，界面声子对入射能的贡献远大于块状LO声子。大约在费米能量的一个数量级内最大散射速率发生在量子阱共振附近的入射电子能量上。子带的非抛物线性对这些结构中的电子声子散射具有重大影响。我们表明，对于典型的共振隧穿结构，弛豫时间与电子在量子阱中的停留时间相当。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

  • 客服微信

  • 服务号