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首页> 外文期刊>Vacuum: Technology Applications & Ion Physics: The International Journal & Abstracting Service for Vacuum Science & Technology >Structural studies of ZnS thin films grown on GaAs by RF magnetron sputtering
【24h】

Structural studies of ZnS thin films grown on GaAs by RF magnetron sputtering

机译：射频磁控溅射在GaAs上生长的ZnS薄膜的结构研究

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X-ray diffraction (XRD) studies of ZnS thin films grown on GaAs (001) substrates at different temperatures by rf magnetron sputtering have been carried out using CuK alpha radiation. XRD analysis reveals that deposited films below 335 degrees C, assumed the zinc blend structure. Samples annealed at above 335 degrees C showed mixed phases of the zinc blend and wurzite structures. Information about crystallite size is obtained from (001), (111) and (104) diffraction peaks. The average crystallite size of the film was determined to be similar to 32 nm using the Scherrer formula.
机译：已经使用CuKα辐射对通过射频磁控溅射在不同温度下在GaAs（001）衬底上生长的ZnS薄膜进行了X射线衍射（XRD）研究。 XRD分析表明，在335℃以下的沉积膜具有锌混合结构。在335摄氏度以上退火的样品显示出锌共混物和纤锌矿结构的混合相。从（001），（111）和（104）衍射峰获得有关微晶尺寸的信息。使用Scherrer公式将膜的平均微晶尺寸确定为类似于32nm。

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