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首页> 外文期刊>Journal of Electronic Materials >Effect of Off-Orientation of Seed Crystal on Silicon Carbide (SiC) Single-crystal Growth on the (1120) Surface
【24h】

Effect of Off-Orientation of Seed Crystal on Silicon Carbide (SiC) Single-crystal Growth on the (1120) Surface

机译：晶种偏取向对（1120）表面碳化硅（SiC）单晶生长的影响

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The effect of off-orientation growth has been investigated in terms of stacking fault formation during physicalvapor transport (PVT) growth of silicon carbide (SiC) single crystals on the (1120) seed crystal surface.Occurrence of stacking fault formation is largely dependent on the direction of off-orientation,and basal plane stacking fault density is significantly reduced by growing the crystals on a (1120) seed crystal off-oriented toward <0001>.The density of the basal plane stacking faults rapidly decreases from 100-150 cm~(-1) to -10 cm~(-1) as the degree of off-orientation is increased from 0 to 10 deg.The results are interpreted in the framework of microscopic facet formation during PVT growth,and the introduction of off-orientation of seed crystal is assumed to prevent (1110) and (1110) microfacet formation on the (1120) growing surface through modification of the surface growth kinetics and to suppress the stacking fault formation.
机译：已对（1120）籽晶表面上碳化硅（SiC）单晶的物理气相传输（PVT）生长过程中的堆垛层错形成过程进行了研究，研究了取向失调生长的影响。通过使（1120）晶种偏向<0001>方向生长，晶体可以显着降低基面堆叠断层的密度。基面堆叠断层的密度从100-150 cm〜迅速减小。 （-1）到-10 cm〜（-1）随着取向偏离度从0增加到10度。结果解释为PVT生长过程中微观刻面形成的框架以及引入偏离取向的结果假设通过改变表面生长动力学来防止（1110）和（1110）微晶面在（1120）生长表面上形成，并抑制堆垛层错的形成。

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