机译:在-187摄氏度至300摄氏度的温度下20 A,1200 V 4H-SiC功率MOSFET的静态性能
SiC; power MOSFET; MOS channel mobility; inversion-layer electron mobility; inversion-channel free carrier concentration; interface; interface traps; on-resistance; specific on-resistance; temperature dependence;
机译:在-187摄氏度至300摄氏度的温度下20 A,1200 V 4H-SiC功率MOSFET的静态性能
机译:在−187°C至300°C的温度下20 A,1200 V 4H-SiC功率MOSFET的静态性能
机译:1200 V,200 A 4H-SiC功率DMOSFET的高温性能
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