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首页> 外文期刊>Journal of Non-Crystalline Solids: A Journal Devoted to Oxide, Halide, Chalcogenide and Metallic Glasses, Amorphous Semiconductors, Non-Crystalline Films, Glass-Ceramics and Glassy Composites >Kinetics of the photoinduced evolution of the nanostructured porous silicon photoluminescence
【24h】

Kinetics of the photoinduced evolution of the nanostructured porous silicon photoluminescence

机译：纳米结构多孔硅光致发光的光致演化动力学

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In this work we show that the illumination level used during porous silicon preparation is a key factor determining the subsequent photoinduced evolution of the photoluminescence spectra. The post-preparation evolution results from the combination of at least two effects. One of them is ruled by the size changes of the silicon nanostructure due to photo-oxidation, and dominates for samples prepared under low illumination levels. On the other hand, for samples prepared under high illumination levels the post-preparation evolution is dominated by a quenching effect, resulting from photoinduced dangling bonds generation in the hydrogen-rich surface of the nanostructure. The kinetics of dangling bond creation is similar to that found in the Staebler-Wronski effect for hydrogenated amorphous silicon. (c) 2006 Elsevier B.V. All rights reserved.
机译：在这项工作中，我们表明，在多孔硅制备过程中使用的照明水平是决定随后的光致发光光谱光致演化的关键因素。制备后的演变是至少两种作用的结合。其中之一是由光氧化引起的硅纳米结构的尺寸变化所决定的，并且在低照度下制备的样品中占主导地位。另一方面，对于在高照明水平下制备的样品，制备后的演化主要受猝灭作用的影响，这是由于在纳米结构的富氢表面上产生光致悬挂键而引起的。悬空键产生的动力学与氢化非晶硅的Staebler-Wronski效应相似。 （c）2006 Elsevier B.V.保留所有权利。

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