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首页> 外文期刊>Journal of Non-Crystalline Solids: A Journal Devoted to Oxide, Halide, Chalcogenide and Metallic Glasses, Amorphous Semiconductors, Non-Crystalline Films, Glass-Ceramics and Glassy Composites >Photoexcited recharge of localized states in amorphous selenium
【24h】

Photoexcited recharge of localized states in amorphous selenium

机译：非晶态硒中局部态的光激发电荷

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It is determined that the relaxation rate of the surface charge in a film of amorphous selenium doped with phosphorus is conditioned by the charge carriers generated from the deep levels, localized in the interior of the film. When the film is photoexcited before charging the energy spectrum of generation centers move into the region of smaller energies (from 0.95 +/- 0.01 to 0.78 +/- 0.01 eV). It is shown that with the photoexcitation of charge carriers in the film, the deep localized states recharge and take part in thermal generation of the charge carriers. (C) 1998 Elsevier Science B.V. All rights reserved. [References: 16]
机译：可以确定，掺杂磷的非晶态硒薄膜中表面电荷的弛豫速率受位于薄膜内部的深能级所产生的电荷载流子的调节。当薄膜在充电前被光激发时，生成中心的能谱移到较小能量的区域（从0.95 +/- 0.01到0.78 +/- 0.01 eV）。结果表明，随着薄膜中电荷载流子的光激发，深的局域态重新充电并参与了电荷载流子的热生成。 （C）1998 Elsevier Science B.V.保留所有权利。 [参考：16]

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