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首页> 外文期刊>Journal of Non-Crystalline Solids: A Journal Devoted to Oxide, Halide, Chalcogenide and Metallic Glasses, Amorphous Semiconductors, Non-Crystalline Films, Glass-Ceramics and Glassy Composites >PECVD a-SiC : H thin films from liquid organosilanes dependence of photoluminescence on starting material
【24h】

PECVD a-SiC : H thin films from liquid organosilanes dependence of photoluminescence on starting material

机译：液态有机硅烷的PECVD a-SiC：H薄膜光致发光对起始材料的依赖性

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The dependence of the photoluminescence (PL) properties of plasma deposited a-SiC(N):H films on the starting material is discussed in this paper. A model of the growth process based on the infrared absorption spectra and plasma parameters is developed and used to explain the differences in the FL. The PL maximum for films we made from liquid organosilane feed stock, varied between 490 nm (2.5 eV) and 410 nm (3.0 eV). In this paper the PL and structure of films produced from hexamethyldisilane (HMDS) with a PL maximum at 450 nm (2.75 eV) and of films produced from hexamethyldisilazane (HMDSN) peaking at 410 nm (3.0 eV) are discussed. The differences in PL are attributed to the different microstructures of the films which result from the starting material. This structural difference is indicated by different absorptions for Si-(CH3)(2): Si-(CH3)(3) and Si-CH2-Si in the infrared absorption spectra of the two starting materials. (C) 2000 Elsevier Science B.V. All rights reserved. [References: 12]
机译：本文讨论了等离子体沉积的a-SiC（N）：H薄膜在起始材料上的光致发光（PL）特性的依赖性。建立了基于红外吸收光谱和等离子体参数的生长过程模型，并用于解释FL的差异。我们使用液态有机硅烷原料制成的薄膜的PL最大值在490 nm（2.5 eV）至410 nm（3.0 eV）之间变化。在本文中，讨论了由六甲基乙硅烷（HMDS）制成的薄膜的PL和结构，其PL最大在450 nm（2.75 eV），并且由六甲基二硅氮烷（HMDSN）制成的薄膜在410 nm（3.0 eV）达到峰值。 PL的差异归因于由起始材料产生的膜的不同微观结构。通过在两种起始材料的红外吸收光谱中对Si-（CH3）（2）：Si-（CH3）（3）和Si-CH2-Si的不同吸收来表明这种结构差异。 （C）2000 Elsevier Science B.V.保留所有权利。 [参考：12]

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