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首页> 外文期刊>Journal of Micromechanics and Microengineering >Development of the one-step DRIE dry process for unconstrained fabrication of released MEMS devices
【24h】

Development of the one-step DRIE dry process for unconstrained fabrication of released MEMS devices

机译：一步开发DRIE干法工艺，可无限制地制造已发布的MEMS器件

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Current technologies allow the manufacture of released devices using deep reactive ion etching (DRIE) and SOI wafers, provided the device movement is not required to be more than a few microns (1-10 mum) Here, we describe the 'waffle technique', which will allow large areas surrounding a device to be cleared, therefore opening up opportunities for the design of devices with large movement capabilities (limited by the device's own actuation) or large volume reservoirs for micro fluidic applications. It should be noted that all DRIE etching in this work was carried out using a Surface Technology Systems DRIE which uses a process developed from the Bosch process (R B Bosch Gmbh 1994 US Patent Specification 4855017 and German Patent Specification 4241045CI) termed 'time multiplexed deep etching' (TMDE).
机译：当前技术允许使用深反应离子蚀刻（DRIE）和SOI晶片制造已发布的设备，但前提是设备移动不要求超过几微米（1-10微米）。在此，我们介绍“华夫饼技术”，这将允许清理设备周围的大面积区域，从而为设计具有大移动能力（受设备自身的驱动力限制）或用于微流体应用的大容量容器的设备提供了机会。应该注意的是，这项工作中的所有DRIE蚀刻都是使用表面技术系统DRIE进行的，该表面使用了从Bosch工艺（RB Bosch Gmbh 1994美国专利说明书4855017和德国专利说明书4241045CI）开发的工艺，称为“时分复用深蚀刻”。 '（TMDE）。

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