...
  • 主题
高级搜索  >
历史搜索 清空历史
首页> 外文期刊>Journal of Micromechanics and Microengineering >Growth and characterization of nitrogen-doped polycrystalline 3C-SiC thin films for harsh environment MEMS applications
【24h】

Growth and characterization of nitrogen-doped polycrystalline 3C-SiC thin films for harsh environment MEMS applications

机译：用于恶劣环境MEMS应用的氮掺杂多晶3C-SiC薄膜的生长和表征

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
           
页面导航
  • 摘要
  • 著录项
  • 相似文献
  • 相关主题

摘要

Polycrystalline 3C-SiC films, in situ doped with nitrogen, are grown by low-pressure chemical vapor deposition (LPCVD) on 100 mm Si (100) wafers at 800℃ using methylsilane and ammonia precursors. The effects of NH_3 and dichlorosilane precursor, as an additional silicon source, on material properties such resistivity, residual stress, strain, strain gradient as well as crystallinity and surface morphology are investigated. By varying these parameters, the electrical and mechanical properties of the films are optimized for MEMS applications. Films with a resistivity of 0.026 ± 0.001 Ω cm, residual stress of 254 ± 16 MPa and strain of 4.5 × 10~(-4), corresponding to the biaxial modulus of 564 GPa, and strain gradient of 5.8 × 10~(-4) μm～(-1) are achieved.
机译：原位掺杂氮的多晶3C-SiC薄膜是通过低压化学气相沉积（LPCVD）在100毫米Si（100）晶片上于800℃，使用甲基硅烷和氨气前驱体生长的。研究了NH_3和二氯硅烷前体（作为一种额外的硅源）对材料特性（如电阻率，残余应力，应变，应变梯度以及结晶度和表面形态）的影响。通过改变这些参数，薄膜的电气和机械性能针对MEMS应用进行了优化。电阻率为0.026±0.001Ωcm，残余应力为254±16 MPa，应变为4.5×10〜（-4）的薄膜，对应于564 GPa的双轴模量，应变梯度为5.8×10〜（-4）达到μm〜（-1）。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

  • 客服微信

  • 服务号