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首页> 外文期刊>日本セラミックス協会学術論文誌 >Synthesis of Highly Oriented Diamond Film by Microwave Plasma Enhanced CVD Technique
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Synthesis of Highly Oriented Diamond Film by Microwave Plasma Enhanced CVD Technique

机译：微波等离子体增强CVD技术合成高取向金刚石膜

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Highly oriented diamond films can play an important role in replacing single crystal diamond for their use as substrates in electronic devices. However, for practical application, homogeneous films with low defect densities are required. The focus of our study is on the formation of highly oriented diamond on Si (100) substrate via differed multi-step processes. Highly oriented diamond films of approx 14 #mu#m thickness have been successfully synthesized on Si (100) at the experimental conditions followed by the multi-step growth processes: bias enhanced nucleation treatment, selective etching treatment and smooth growth. The diamond films has an epitaxial relationship of (100) diamond/I (100) Si and (110)diamond//(110)Si with respect to the Si substrate.
机译：高度定向的金刚石膜在取代单晶金刚石以用作电子设备的基材方面可以发挥重要作用。然而，对于实际应用，需要具有低缺陷密度的均质膜。我们研究的重点是通过不同的多步工艺在Si（100）衬底上形成高取向金刚石。已经在实验条件下在Si（100）上成功合成了厚度约为14＃μm的高取向金刚石膜，随后进行了多步生长工艺：偏置增强成核处理，选择性蚀刻处理和平滑生长。金刚石膜相对于Si衬底具有（100）金刚石/ I（100）Si和（110）金刚石//（110）Si的外延关系。

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