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Lateral patterning of multilayer InAs/GaAs(001) quantum dot structures by invacuo focused ion beam

机译：真空聚焦离子束对InAs / GaAs（001）多层量子点结构进行横向构图

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We report on the effects of patterning and layering on multilayer InAs/GaAs(001) quantum dot structures laterally ordered using an invacuo focused ion beam. The patterned hole size and lateral pattern spacing affected the quantum dot size and the fidelity of the quantum dots with respect to the lateral patterns. 100% pattern fidelity was retained after six layers of dots for a 9.0ms focused ion beam dwell time and 2.0νm lateral pattern spacing. Analysis of the change in quantum dot size as a function of pattern spacing provided a means of estimating the maximum average adatom surface diffusion length to be approximately 500nm, and demonstrated the ability to alter the wetting layer thickness via pattern spacing. Increasing the number of layers from six to 26 resulted in mound formation, which destroyed the pattern fidelity at close pattern spacings and led to a bimodal quantum dot size distribution as measured by atomic force microscopy. The bimodal size distribution also affected the optical properties of the dots, causing a split quantum dot photoluminescence peak where the separation between the split peaks increased with increasing pattern spacing.
机译：我们报告图案化和分层对使用真空聚焦离子束横向排列的多层InAs / GaAs（001）量子点结构的影响。图案化的孔尺寸和横向图案间距影响量子点尺寸和量子点相对于横向图案的保真度。在六层点之后，对于9.0ms聚焦离子束停留时间和2.0μm横向图案间距，保留了100％的图案保真度。对量子点尺寸随图案间距变化的分析提供了一种估计最大平均原子表面扩散长度约为500nm的方法，并证明了通过图案间距改变润湿层厚度的能力。将层数从六层增加到26层会导致形成丘，这会破坏在紧密图案间距处的图案保真度，并导致通过原子力显微镜测得的双峰量子点尺寸分布。双峰尺寸分布还影响点的光学性质，导致分裂量子点光致发光峰，其中分裂峰之间的间隔随着图案间距的增加而增加。

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