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Reducing the contact resistance of SiNW devices by employing a heavily doped carrier injection layer

机译：通过使用重掺杂的载流子注入层来降低SiNW器件的接触电阻

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Silicon nanowires (SiNWs) are promising building blocks for future electronic devices. In SiNW-based devices, reducing the contact resistance of SiNW-metal as much as possible is critically important. Here we report a simple fabrication approach for SiNW field effect transistors (FETs) with low contact resistances by employing a heavily doped carrier injection layer wrapped around SiNWs at the contact region. Both n- and p-type SiNW-FET devices with carrier injection layers were investigated, the contact resistances were one order smaller than those without carrier injection layers and only contribute less than 14.8% for n-type devices and 11.4% for p-type devices, respectively, to the total resistance. Such low contact resistance guarantees the device characteristics mainly from the channel region of SiNW-based devices.
机译：硅纳米线（SiNWs）是未来电子设备的有前途的构建基块。在基于SiNW的设备中，尽可能降低SiNW与金属的接触电阻至关重要。在这里，我们通过采用在接触区周围包裹在SiNW周围的重掺杂载流子注入层，报告了一种低接触电阻的SiNW场效应晶体管（FET）的简单制造方法。研究了具有载流子注入层的n型和p型SiNW-FET器件，其接触电阻比没有载流子注入层的接触电阻小一个数量级，并且仅对n型器件的贡献小于14.8％，对p型器件的贡献仅为11.4％器件总电阻。这样的低接触电阻主要从基于SiNW的器件的沟道区域保证了器件特性。

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