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Photoluminescence study of low density InAs quantum clusters grown by molecular beam epitaxy

机译：分子束外延生长的低密度InAs量子簇的光致发光研究

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We report a systematic optical spectroscopy study of low density InAs quantum clusters (QCs) grown by molecular beam epitaxy. The photoluminescence (PL) spectra show emission features of a wetting layer (WL) which contains hybridized quantum well states. The low-energy tail of the QCs PL profile is actually an ensemble of some sharp lines, originating from the emission of different exciton states (e.g.X, X*, XX*) in a single quasi-three-dimensional (Q3D) cluster as detailed in the micro-PL spectra. The temperature dependence of PL spectra indicates photocarrier distribution and transport in the QCWL system. Furthermore, this small InAs Q3D cluster is integrated with a distributed Bragg reflector structure, and using optical excitation creates a single photon source with the second-order correlation function of g ~((2))(0)=0.31 at 16K.
机译：我们报告了通过分子束外延生长的低密度InAs量子簇（QCs）的系统光谱研究。光致发光（PL）光谱显示了包含杂化量子阱态的润湿层（WL）的发射特征。 QCs PL轮廓的低能量尾部实际上是一些尖线的集合，这是由单个准三维（Q3D）簇中不同激子态（例如X，X *，XX *）的发射引起的，详细在微PL光谱中。 PL光谱的温度依赖性表明QCWL系统中的光载流子分布和传输。此外，这个小的InAs Q3D簇与分布式布拉格反射器结构集成在一起，并且使用光激发创建了一个在16K时具有g〜（（2））（0）= 0.31的二阶相关函数的单个光子源。

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