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Patterned ion beam implantation of Co ions into a SiO _2 thin film via ordered nanoporous alumina masks

机译:通过有序的纳米多孔氧化铝掩模将Co离子图案化的离子束注入SiO _2薄膜

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摘要

Spatially patterned ion beam implantation of 190keV Co ~+ ions into a SiO _2 thin film on a Si substrate has been achieved by using nanoporous anodic aluminum oxide with a pore diameter of 125 nm as a mask. The successful synthesis of periodic embedded Co regions using pattern transfer is demonstrated for the first time using cross-sectional (scanning) transmission electron microscopy (TEM) in combination with analytical TEM. Implanted Co regions are found at the correct relative lateral periodicity given by the mask and at a depth of about 120nm.
机译:通过使用孔径为125 nm的纳米多孔阳极氧化铝,在190keV Co〜+离子上进行空间构图的离子束注入到Si衬底上的SiO _2薄膜中。首次使用截面(扫描)透射电子显微镜(TEM)结合分析型TEM证明了利用图案转移成功合成周期性嵌入的Co区域。在掩模给出的正确的相对横向周期性和约120nm的深度处发现了植入的Co区域。

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