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Flexible conductive-bridging randomaccess- memory cell vertically stacked with top Ag electrode, PEO, PVK, and bottom Pt electrode

机译：垂直堆叠有顶部Ag电极，PEO，PVK和底部Pt电极的柔性导电桥随机存取存储单元

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Flexible conductive-bridging random-access-memory (RAM) cells were fabricated with a crossbar memory cell stacked with a top Ag electrode, conductive polymer (poly(n-vinylcarbazole): PVK), electrolyte (polyethylene oxide: PEO), bottom Pt electrode, and flexible substrate (polyethersulfone: PES), exhibiting the bipolar switching behavior of resistive random access memory (ReRAM). The cell also exhibited bending-fatigue-free nonvolatile memory characteristics: i.e., a set voltage of 1.0 V, a reset voltage of –1.6 V, retention time of >1 × 10~5 s with a memory margin of 9.2 × 10~5, program/erase endurance cycles of >10~2 with a memory margin of 8.4 × 10~5, and bending-fatigue-free cycles of ~1×10~3 with a memory margin (Ion/Ioff) of 3.3 × 10~5.
机译：柔性导电桥接随机存取存储器（RAM）单元由交叉开关存储单元堆叠而成，该交叉开关存储单元堆叠有顶部Ag电极，导电聚合物（聚（n-乙烯基咔唑）：PVK），电解质（聚环氧乙烷：PEO），底部Pt电极和柔性基板（聚醚砜：PES），表现出电阻随机存取存储器（ReRAM）的双极开关行为。该单元还具有无弯曲疲劳的非易失性存储特性：即设置电压为1.0 V，复位电压为–1.6 V，保持时间> 1×10〜5 s，存储余量为9.2×10〜5 ，编程/擦除耐久周期> 10〜2，内存裕度为8.4×10〜5，无弯曲疲劳周期为〜1×10〜3，内存裕度（Ion / Ioff）为3.3×10〜 5，

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