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Carrier mobility and crystal perfection of tetracene thin film FET

机译：并四极薄膜FET的载流子迁移率和晶体完善性

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It is well-known that the carrier mobility of an organic field effect semiconductor (FET) depended on the crystal quality and/or the crystal perfection of the organic thin films [T.W. Kelly, D.V. Muyres, P.F. Baude, T.P. Smith, T.D. Jones, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 771 (2003) L6.5.1; D.J. Gundlach, J.A. Nichols, L. Zhou, T.N. Jackson, Appl. Phys. Lett. 80 (2002) 2925; H.K. Lauk, M. Halik, U. Zschieschang, G. Schmid, W. Radlik, J. Appl. Phys. 92 (2002) 5259; M. Shtein, J. Mapel, J.B. Benziger, S.R. Forrest, Appl. Phys. Lett. 81 (2002) 268; D. Knipp, R.A. Street, A.R. Volkel, Appl. Phys. Lett. 82 (2003) 3907; R. Ruiz, A.C. Mayer, G.G. Malliaras, Appl. Phys. Lett. 85 (2004) 4926; R.W.I. de Boer, M.E. Gershenson, A.F. Morpurgo, V. Podzorov, Phys. Stat. Sol. A 201 (2004) 1031]. To improve the crystal quality of the thin film many efforts were made. One of the important improvements was the surface treatment of the substrate. The tetracene thin film FET (top contact structure) was fabricated using the substrate, which was coated by a spin-coating method with a 0.1% poly alpha-methylstyrene (AMS) solution. The crystal quality was improved by this treatment so that the carrier mobility was higher than that of non-treatment. The maximum mobility of the AMS-treated sample was obtained to be 0.12 cm(2)/V S. (c) 2005 Elsevier B.V. All rights reserved.
机译：众所周知，有机场效应半导体（FET）的载流子迁移率取决于有机薄膜的晶体质量和/或晶体完整性。凯利（D.V.） P.F. Muyres宝德（T.P.）史密斯，T.D。琼斯，马特。 Res。 Soc。症状进程771（2003）L6.5.1; D.J. J.A. Gundlach Nichols，L.Zhou，T.N.杰克逊，应用物理来吧80（2002）2925;香港Lauk，M.Halik，U.Zschieschang，G.Schmid，W.Radlik，J.Appl。物理92（2002）5259; M.Shtein，J.Mapel，J.B.Benziger，S.R。福雷斯特，应用物理来吧81（2002）268; D.Knipp，R.A. A.R.街Volkel，应用。物理来吧82（2003）3907; R.Ruiz，A.C.Mayer，G.G。马利亚拉斯，应用物理来吧85（2004）4926; R.W.I. de Boer，M.E。Gershenson，A.F。Morpurgo，V。Podzorov，物理统计索尔A 201（2004）1031]。为了提高薄膜的晶体质量，进行了许多努力。重要的改进之一是基材的表面处理。使用基板制造并四苯薄膜FET（顶部接触结构），该基板通过旋涂方法用0.1％的聚α-甲基苯乙烯（AMS）溶液涂覆。通过这种处理提高了晶体质量，因此载流子迁移率高于未处理的迁移率。经AMS处理的样品的最大迁移率为0.12 cm（2）/ V S.（c）2005 Elsevier B.V.保留所有权利。

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