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首页> 外文期刊>Physica, B. Condensed Matter >Visualization and modeling of impurity atom migration for superdiffuision in semiconductors
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Visualization and modeling of impurity atom migration for superdiffuision in semiconductors

机译：半导体超扩散中杂质原子迁移的可视化和建模

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Radiation-enhanced superdiffusion in two-layered structures, comprised of an impurity overlayer and a semiconductor substrate, subjected to electron beam irradiation is modeled and visualized using computer graphics animation. The important and experimentally observed large sticking probabilities of impurities at the wafer surface were modeled in the algorithm, and the animation was found to behave as expected under irradiation. Programming of the animation algorithm was performed using an object modeling technique. The animation generated a continuous display of radiation-enhanced superdiffusion that was qualitatively consistent with experimental observations, thereby facilitating understanding of the superdiffusion process. (c) 2006 Elsevier B.V. All rights reserved.
机译：使用计算机图形动画模拟并可视化两层结构中的辐射增强超级扩散，该结构由杂质覆盖层和半导体衬底组成，并经过电子束辐射。在算法中对重要的和实验观察到的杂质在晶圆表面的大粘附概率进行了建模，并发现动画在辐射下的行为符合预期。使用对象建模技术执行动画算法的编程。该动画连续显示了辐射增强的超扩散，其质量与实验观察结果一致，从而促进了对超扩散过程的理解。 （c）2006 Elsevier B.V.保留所有权利。

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