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Mechanism of oxide deformation during silicon thermal oxidation

机译：硅热氧化过程中氧化物变形的机理

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Mechanisms of oxide deformation during silicon thermal oxidation are studied by investigating the energetics of intrinsic point defects in the bulk silicon oxide and in the oxide film of the silicon oxide/silicon interface with first-principles calculations. The results suggest that the SiO2 and the SiO interstitials are thought to relate to the deformation of the silicon oxide. Especially, during the silicon oxidation, the SiO interstitial is suggested to be important because it can be formed in the oxide film neighboring to the interface and can enhance the deformation of the oxide films. (c) 2005 Elsevier B.V. All rights reserved.
机译：通过用第一性原理计算研究了本体氧化硅和氧化硅/硅界面的氧化膜中的本征点缺陷的能量，研究了硅热氧化过程中氧化物变形的机理。结果表明，SiO 2和SiO间隙被认为与氧化硅的变形有关。特别是，在硅氧化过程中，SiO间隙被认为是重要的，因为它可以形成在与界面相邻的氧化膜中，并且可以增强氧化膜的变形。 （c）2005 Elsevier B.V.保留所有权利。

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