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首页> 外文期刊>Physica, B. Condensed Matter >Electronic and photovoltaic properties Of P-Si/C-70 heterojunction diode
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Electronic and photovoltaic properties Of P-Si/C-70 heterojunction diode

机译：P-Si / C-70异质结二极管的电子和光电性能

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Electronic and photovoltaic properties of p-Si/C-70 heterojunction diode have been investigated. The ideality factor n and barrier height Ob values of the diode were found to be 1.86 and 0.69 eV, respectively. The diode indicates a non-ideal current-voltage behaviour due to the ideality factor being higher than unity. This behaviour results from the effect of series resistance and the presence of an interfacial layer. The series resistance R-s and ideality factor n values were determined using Cheng's method and the obtained values are 2.21 X 10(5) ohm and 1.86, respectively. The device shows photovoltaic behaviour with a maximum open-circuit voltage of 0.22 V and a short-circuit current of 0.35 mu A under 6 mW/crn(2) light intensity. (C) 2007 Elsevier B.V. All rights reserved.
机译：研究了p-Si / C-70异质结二极管的电子和光伏特性。二极管的理想因数n和势垒高度Ob值分别为1.86和0.69 eV。由于理想因数高于1，因此二极管显示出不理想的电流-电压行为。此行为是由串联电阻和界面层的存在引起的。使用Cheng方法确定串联电阻R-s和理想因子n值，所得值分别为2.21 X 10（5）欧姆和1.86。在6 mW / crn（2）的光强度下，该器件显示的光伏行为为最大开路电压为0.22 V，短路电流为0.35μA。 （C）2007 Elsevier B.V.保留所有权利。

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