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Temperature dependence of tunneling magnetoresistance in manganite tunnel junctions

机译：锰矿隧道结中隧道磁阻的温度依赖性

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The mechanism of temperature-dependent tunneling magnetoresistance (TMR) is proposed for manganite tunnel junctions. Using the transfer Hamiltonian method, we show that the variation of the electronic spin polarization and the collective excitations of local spins at the interfaces between the insulator and the manganite electrodes are responsible for the drop of the maximum TMR ratio with increasing temperature. The theoretical result can reproduce the main characteristic feature of the experimental data in the trilayer junction structure, La0.67Sr0.33MnO3/SrTiO3/La0.67Sr0.33MnO3. [S0163-1829(99)09229-2]. [References: 36]
机译：提出了与温度有关的隧道磁阻（TMR）机理，用于锰矿隧道结。使用转移哈密顿量法，我们证明了电子自旋极化的变化以及在绝缘体和锰铁矿电极之间的界面处局部自旋的集体激发是最大TMR比随温度升高而下降的原因。理论结果可以再现三层结结构La0.67Sr0.33MnO3 / SrTiO3 / La0.67Sr0.33MnO3的实验数据的主要特征。 [S0163-1829（99）09229-2]。 [参考：36]

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