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Reaction induced by a scanning tunneling microscope: Theory and application

机译：扫描隧道显微镜引起的反应：理论与应用

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We develop a theoretical framework for study of chemical dynamics induced by a scanning tunneling microscope. An analytically solvable limit of the expression derived for the reaction rate reveals the information content of the voltage dependence of the observable. The theory is applied to the problem of H-atom desorption from a silicon surface in the 4-10 V range, where desorption is triggered by a single electronic transition into a short-lived excited state localized on the H-Si bond. The resonance lifetime is extracted by fitting the numerical results to an observed desorption yield versus voltage curve [Foley et al., Phys. Rev. Lett. 80, 1336 (1998)].
机译：我们开发了一个理论框架，用于研究扫描隧道显微镜引起的化学动力学。对于反应速率得出的表达式的解析可解极限揭示了可观察到的电压依赖性的信息内容。该理论适用于H原子在4-10 V范围内从硅表面脱附的问题，其中脱附是由单个电子跃迁到位于H-Si键上的短寿命激发态触发的。通过将数值结果与观察到的解吸产率对电压曲线的拟合来提取共振寿命[Foley et al。，Phys。牧师80，1336（1998）]。

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