Interaction of atomic hydrogen with the beta-SiC(100) 3X2 surface and subsurface

M.Dangelo; H.Enriquez; N.Rodriguez

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Interaction of atomic hydrogen with the beta-SiC(100) 3X2 surface and subsurface

机译：原子氢与β-SiC（100）3X2表面和亚表面的相互作用

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We investigate clean and atomic hydrogen exposed beta-SiC(100) 3X2 surfaces by synchrotron radiation-based Si 2p core-level photoemission spectroscopy.The clean 3X2 surface reconstruction exhibits three surface and subsurface components.Upon hydrogen exposures,those surface and subsurface components are shifted to lower binding energies by large values,indicating significant charge transfer to the surface and subsurface regions,in excellent agreement with the recently discovered H-induced beta-SiC(lOO) 3X2 surface metallization.In addition,the interaction of hydrogen results in a large reactive component at Si 2p supporting an asymmetric charge transfer in the third plane below the surface,in agreement with previous experimental investigations.However,the results are inconsistent with recent ab initio theoretical "frozen" calculations predicting H atom to be in a bridge-bond position.

机译：我们通过基于同步加速器辐射的Si 2p核能级光发射光谱研究了清洁的和原子化的氢暴露的β-SiC（100）3X2表面。清洁的3X2表面重建显示了三个表面和亚表面成分。在氢暴露下，这些表面和亚表面成分为迁移到较低的结合能时出现较大的值，这表明电荷明显转移至表面和亚表面区域，这与最近发现的H诱导的β-SiC（100）3X2表面金属化非常吻合。此外，氢的相互作用还导致与先前的实验研究一致，Si 2p处有较大的反应性组分，支持在表面以下的第三平面中进行不对称电荷转移。但是，该结果与最近的从头开始的理论“冻结”计算结果不一致，该计算表明H原子处于桥-债券头寸。

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来源
《The Journal of Chemical Physics》 |2007年第16期|共11页
作者
M.Dangelo; H.Enriquez; N.Rodriguez;
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1. Interaction of atomic hydrogen with the beta-SiC(100) 3X2 surface and subsurface [J] . M.Dangelo, H.Enriquez, N.Rodriguez The Journal of Chemical Physics . 2007,第16期

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Interaction of atomic hydrogen with the beta-SiC(100) 3X2 surface and subsurface

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