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首页> 外文期刊>The Journal of Chemical Physics >A statistical simulation approach for early stage thin-film growth from vapor-deposited atoms
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A statistical simulation approach for early stage thin-film growth from vapor-deposited atoms

机译：从气相沉积原子早期薄膜生长的统计模拟方法

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We present a statistical simulation method for the early stage of thin-film growth from vapor-deposited atoms, which simulate evolution of density, size, and spatial distribution of the growing islands on a supported substrate. The method describes surface processes of the deposited atoms by random walks and the Arrhenius form. However, we utilize the statistical behavior of the atomic surface processes over a time scale significantly larger than the typical attempt time (10~(-13) s). This novel method saves enormous simulation time and thus overcomes the difficulty resulting from the remarkable gap between the typical experimental deposition rates and the attempt frequency. The statistical approach is verified by comparisons with direct step-by-step (kinetic Monte Carlo) simulations at large deposition rates. Results obtained for low deposition rates matching experimental conditions are also presented.
机译：我们为从气相沉积的原子薄膜生长的早期阶段提供了一种统计模拟方法，该方法模拟了密度，大小和在支撑衬底上生长岛的空间分布的演变。该方法通过随机游走和阿伦尼乌斯形式描述了沉积原子的表面过程。然而，我们利用原子表面过程的统计行为，其时间尺度明显大于典型的尝试时间（10〜（-13）s）。这种新颖的方法节省了巨大的仿真时间，因此克服了典型实验沉积速率和尝试频率之间的巨大差距所带来的困难。通过与在较大沉积速率下的直接分步（动力学蒙特卡洛）模拟进行比较，验证了统计方法。还介绍了与实验条件相匹配的低沉积速率获得的结果。

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