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在低介电常数电介质上沉积化学气相沉积膜和原子层沉积膜的方法

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本发明提供了一种用于增强在低介电常数(低k)电介质层上CVD或ALD沉积的膜/层的成核和/或附着的方法，所述低k电介质层例如为聚合物电介质或掺碳氧化物。在一个实施例中，所述方法包括向沉积室中提供衬底。在衬底上方形成具有活性组分的电介质层。然后，对所形成的具有活性组分的电介质层进行处理，以至少在所形成的电介质层的表面上产生极性基团或极性位置。本发明形成低k有机聚合物电介质层或者有机掺杂的氧化物电介质层，所形成的电介质层具有增强的成核和/或附着特性以用于随后沉积的诸如阻挡材料层的层。

著录项

公开/公告号CN1324162C

专利类型发明授权
公开/公告日2007-07-04

原文格式PDF
申请/专利权人英特尔公司;
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申请/专利号CN02813259.9
发明设计人志鹏·劳;驰-I·吴;颖·周;格兰特·M·克洛斯特;
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申请日2002-09-26
分类号C23C16/40(20060101);C23C16/56(20060101);H01L21/768(20060101);
代理机构11258 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司;
代理人肖善强;吴湘文
地址美国加利福尼亚州
入库时间 2022-08-23 08:59:35

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2011-01-05

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C23C 16/40 授权公告日:20070704 终止日期:20091026 申请日:20020926

专利权的终止
2007-07-04

授权

授权
2004-10-27

实质审查的生效

实质审查的生效
2004-08-18

公开

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