(S008-1)Solid solubility of Sn in Si and diffusion coefficient of Si in the Si-Sn melt determined by TGZM method

Xiaodong Ma; Takeshi Yoshikawa; Kazuki Morita

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(S008-1)Solid solubility of Sn in Si and diffusion coefficient of Si in the Si-Sn melt determined by TGZM method

机译：（S008-1）用TGZM方法测定锡在硅中的溶解度和硅在锡锡熔体中的扩散系数

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Metallurgical routes for solar grade silicon (SOG-Si) offer benefits in productivity and process cost. Recently a novel refining technique, namely, solidification refining of Si using Si-Al solvent at low temperature, where the most of impurities can be removed by using the enhanced segregation, was proposed by our group. However, the growth rate of bulk Si was inadequate. We are thus investigating the solvent refining of Si with a Si-Sn solvent [1] by focusing on the moderate liquidus slope in the phase diagram.

机译：太阳能级硅（SOG-Si）的冶金路线可提高生产率和工艺成本。最近，我们小组提出了一种新颖的精炼技术，即在低温下使用Si-Al溶剂对Si进行凝固精炼，该工艺可以通过增强偏析来去除大部分杂质。但是，块状Si的生长速度不足。因此，我们通过研究相图中的适度液相线斜率来研究用Si-Sn溶剂[1]提纯Si的溶剂。

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来源
《材料とプロセス: 日本鉄鋼協会講演論文集》 |2012年第2期|共1页
作者
Xiaodong Ma; Takeshi Yoshikawa; Kazuki Morita;
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