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【24h】

Na- Ga- Si type- I clathrate single crystals grown via Na evaporation using Na- Ga and Na- Ga- Sn fluxes

机译：Na-Ga-Si型通过Na-Ga和Na-Sn-Sn助焊剂通过Na蒸发生长的单晶体

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Single crystals of a Na-Ga-Si clathrate, Na8Ga5.70Si40.30, of size 2.9 mm were grown via the evaporation of Na from a Na-Ga-Si melt with the molar ratio of Na:Ga:Si = 4:1:2 at 773 K for 21 h under an Ar atmosphere. The crystal structure was analyzed using X-ray diffraction with the model of the type-I clathrate (cubic, a = 10.3266(2) angstrom, space group Pm3n, no. 223). By adding Sn to a Na-Ga-Si melt (Na:Ga:Si:Sn = 6:1:2:1), single crystals of Na8GaxSi46-x (x = 4.94-5.52, a = 10.3020(2)-10.3210(3) angstrom), with the maximum size of 3.7 mm, were obtained via Na evaporation at 723-873 K. The electrical resistivities of Na8Ga5.70Si40.30 and Na8Ga4.94Si41.06 were 1.40 and 0.72 m cm, respectively, at 300 K, and metallic temperature dependences of the resistivities were observed. In the Si L-2,L-3 soft X-ray emission spectrum of Na8Ga5.70Si40.30, a weak peak originating from the lowest conduction band in the undoped Si-46 was observed at an emission energy of 98 eV.
机译：通过Na-Ga-Si熔体蒸发Na-Ga-Si熔体，生长Na-Ga-Si Clathrate，Na8Ga5.70si40.30的单晶，尺寸为2.9mm，具有Na：Ga：Si = 4：1的摩尔比 ：在AR气氛下21小时，21小时为773 k。 使用X射线衍射进行分析晶体结构，与I型Clathrate（立方，A = 10.3266（2）埃，空间组PM3N，NO.223）的模型进行分析。 通过将Sn加入Na-Ga-Si Melt（Na：Ga：Si：Sn = 6：1：2：1），Na8GaxSi46-x的单晶（x = 4.94-52，a = 10.3020（2）-10.3210 （3）埃赫斯特罗姆）通过Na蒸发在723-873K获得的最大尺寸为3.7mm。Na8Ga5.70si40.30和Na8ga4.94si41.06的电阻率分别为1.40和0.72厘米 观察到300K，并观察到电阻抗性的金属温度依赖性。 在Si L-2，L-3软X射线发射光谱的Na8Ga5.70si40.30中，在98eV的排放能量下观察到源自未掺杂的Si-46中的最低导通带的弱峰。

著录项

  • 来源
    《RSC Advances》 |2018年第71期|共6页
  • 作者

    Urushiyama Hironao; Morito Haruhiko; Yamane Hisanori; Terauchi Masami;

  • 作者单位

    Tohoku Univ Inst Multidisciplinary Res Adv Mat Aoba Ku 2-1-1 Katahira Sendai Miyagi 9808577 Japan;

    Tohoku Univ Inst Mat Res Aoba Ku 2-1-1 Katahira Sendai Miyagi 9808577 Japan;

    Tohoku Univ Inst Multidisciplinary Res Adv Mat Aoba Ku 2-1-1 Katahira Sendai Miyagi 9808577 Japan;

    Tohoku Univ Inst Multidisciplinary Res Adv Mat Aoba Ku 2-1-1 Katahira Sendai Miyagi 9808577 Japan;

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  • 正文语种 eng
  • 中图分类 化学;
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