• 主题
高级搜索  >
历史搜索 清空历史
首页> 外文期刊>RSC Advances >Effective n-type F-doped MoSe2 monolayers
【24h】

Effective n-type F-doped MoSe2 monolayers

机译：有效的N型F掺杂MOSE2单层

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
           
页面导航
  • 摘要
  • 著录项
  • 相似文献
  • 相关主题

摘要

Using a first-principles method, based on the Vienna Ab-initio Simulation Package (VASP), we have studied the electronic structure, formation energy and transition level of a MoSe2 monolayer doped with V and VII atoms. The numerical results show that the dopant atoms can induce magnetism, except for in the case of the As-doped system. Specifically, N- and F-doped systems exhibit magnetic nanomaterial properties, P and As-doped systems display metallic features, and in the cases of Cl-, Br- and I-doped systems, the systems exhibit half-metallic ferromagnetism (HMF). The formation energy calculations indicate that this can be more effective for achieving n-type and p-type doped MoSe2 under Mo-rich experimental conditions. However, for the systems doped with group V atoms, the transition level decreases with increasing atomic radius, but that of those doped with VII atoms increases with increasing atomic radius. By comparing the results, we find that the transition level is only 31 meV in F-doped MoSe2 monolayers, which indicates that F impurities can offer effective n-type carriers in MoSe2 monolayers.
机译：使用一种基于维也纳AB-Initio模拟包装（VASP）的第一原理方法，我们研究了掺杂有V和VII原子的MOSE2单层的电子结构，形成能量和过渡水平。数值结果表明，除了掺杂系统的情况下，掺杂剂原子可以诱导磁性。具体地，N-和F掺杂的系统表现出磁性纳米材料性质，P和掺杂系统显示金属特征，并且在CL-，BR-和I掺杂系统的情况下，该系统表现出半金属铁磁性（HMF） 。形成能量计算表明，这对于在富含MO的实验条件下实现N型和P型掺杂MOSE2可以更有效。然而，对于掺杂有V原子的系统，过渡水平随着原子半径的增加而降低，但是掺杂有VII原子的那些随着原子半径的增加而增加。通过比较结果，我们发现过渡级别在F掺杂的MOSE2单层中仅为31meV，这表明F杂质可以在MOSE2单层中提供有效的N型载体。

著录项

  • 来源
    《RSC Advances》 |2017年第43期|共7页
  • 作者

    Zhao Xu; Zhang Xiaonan; Wang Tianxing; Wei Shuyi; Yang Lin;

  • 作者单位

    Henan Normal Univ Coll Phys &

    Mat Sci Xinxiang 453007 Henan Peoples R China;

    Henan Normal Univ Coll Phys &

    Mat Sci Xinxiang 453007 Henan Peoples R China;

    Henan Normal Univ Coll Phys &

    Mat Sci Xinxiang 453007 Henan Peoples R China;

    Henan Normal Univ Coll Phys &

    Mat Sci Xinxiang 453007 Henan Peoples R China;

    Henan Normal Univ Sch Chem &

    Chem Engn Xinxiang 453007 Henan Peoples R China;

  • 收录信息
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类 化学;
  • 关键词

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

  • 客服微信

  • 服务号