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首页> 外文期刊>Optics Letters >Ultra-broadband unable single- and double-mode InAs/InP quantum dot external-cavity laser emitting around 1.65 mu m
【24h】

Ultra-broadband unable single- and double-mode InAs/InP quantum dot external-cavity laser emitting around 1.65 mu m

机译：超宽带不能单位和双模INAS / INP量子点外腔激光发射大约1.65亩

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We report an ultra-wide tunable single- and double-mode InAs/InP quantum dot (QD) external-cavity (EC) laser in a Littrow configuration. By combining the high modal gain of the QD material in the long wavelength range and an anti-reflection/high-reflection facet coating, the entire single-mode tuning range was increased up to 190 nm under a relatively low constant pulsed injection current. Furthermore, the tunable range was further increased to 230 nm at different bias currents. In addition, a mode spacing as wide as 100 nm was achieved using the same QD-EC device in the dual-mode operation, corresponding to a frequency difference of approximately 11 THz. (C) 2018 Optical Society of America
机译：我们在Littrow配置中报道了一种超广泛的可调单和双模INAS / INP量子点（QD）外腔（EC）激光器。 通过将QD材料的高模态增益组合在长波长范围和抗反射/高反射刻面涂层中，在相对低的恒定脉冲喷射电流下整个单模调谐范围增加到190nm。 此外，在不同的偏置电流下，可调谐范围进一步增加到230nm。 另外，在双模操作中使用相同的QD-EC器件实现宽达100nm的模式间隔，对应于大约11至Thz的频率差。 （c）2018年光学学会

著录项

  • 来源
    《Optics Letters》 |2018年第13期|共4页
  • 作者

    Yuan Hui-Hong; Gao Feng; Yang Tao;

  • 作者单位

    Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China;

    Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China;

    Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China;

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  • 正文语种 eng
  • 中图分类 计量学;光学;
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