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Type-II band alignment of low-boron-content BGaN/GaN heterostructures

机译：低硼含量Bang / GaN异质结构的II型带对准

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The band offset parameters of low-boron-content BGaN/GaN heterojunctions have been studied using x-ray photoelectron spectroscopy (XPS) and photoluminescence (PL) in BxGa1-xN epilayers (x <= 0.043) grown on GaN/sapphire and AIN/sapphire templates. A staggered-gap (type-11) band alignment has been identified at the BGaN/GaN heterojunction by XPS. A study of the red shift of deep-level-related yellow PL band and the band gap shrinkage of BGaN epilayers with increasing boron content confirmed the type-II band alignment and enabled us to estimate that the ratio of the conduction-to-valence band discontinuity is 57:43. It is also shown that the band gap bowing of the BGaN alloy system is accommodated in the conduction band.
机译：使用X射线光电子谱（XPS）和在GaN / Sapphire和AIN上生长的BxGa1-XN癫痫仪（x <= 0.043）中的光致发光（PL）研究了低硼含量BGAN / GaN杂疾病的带偏移参数。 蓝宝石模板。 通过XPS在Bang / GaN异质结上识别了交错差距（类型-11）带对准。 与增加硼含量的Bang Cabloyers的红色移位和Bang Cabilayers的带隙收缩的研究证实了II型带对准，使我们估计导电到价带的比率 不连续性是57:43。 还示出了BGAGH合金系统的带隙弯曲容纳在导通带中。

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