...
  • 主题
高级搜索  >
历史搜索 清空历史
首页> 外文期刊>Journal of Physics, D. Applied Physics: A Europhysics Journal >24.5% efficient GaAs p-on-n solar cells with 120 mu m h(-1) MOVPE growth
【24h】

24.5% efficient GaAs p-on-n solar cells with 120 mu m h(-1) MOVPE growth

机译：24.5％高效的GaAs p-on-n太阳能电池，120 mu m h（-1）MOVPE生长

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
           
页面导航
  • 摘要
  • 著录项
  • 相似文献
  • 相关主题

摘要

By enhancing the transport of gas precursors though the chemical boundary layer using a narrow-channel reactor, the growth rate (GR) of GaAs by metal-organic vapor-phase epitaxy has been increased to 120 mu m h(-1) without saturation with an increase in TMGa supply. The minority hole lifetime in n-GaAs was clearly shortened with an increase in GR from 20 to 120 mu m h(-1). Consequently, the short-circuit current density as well as conversion efficiency slightly decreased with an increase in GR. Nevertheless, a conversion efficiency of 24.48% could be realized for a GaAs cell with the n-type base layer grown at 120 mu m h(-1).
机译：通过使用窄通道反应器的化学边界层增强气体前体的运输，金属 - 有机气相外延的GaAs的生长速率（GR）已经增加到120μmH（-1）而没有饱和 增加TMGA供应。 N-GaAs中的少数孔寿命明显缩短，增加了20至120 mu m H（-1）。 因此，随着GR的增加，短路电流密度以及转换效率略微降低。 然而，可以实现24.48％的转化效率，用于在120μmH（-1）下生长的N型碱基层的GaAs细胞。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

  • 客服微信

  • 服务号