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首页> 外文期刊>Journal of Physics, D. Applied Physics: A Europhysics Journal >V-oc transient in silicon heterojunction solar cells with mu c-SiOx:H window layers
【24h】

V-oc transient in silicon heterojunction solar cells with mu c-SiOx:H window layers

机译：V-OC瞬态硅杂交太阳能电池与MU C-SIOX：H窗层

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Silicon heterojunction (SHJ) solar cells with hydrogenated microcrystalline silicon oxide (mu c-SiOx:H) emitters are fabricated and studied using the open circuit voltage (V-oc) transient. The built-in electric field (E-in), minority carrier lifetime, hole mobility, and a-Si:H/c-Si heterointerface valance band offset (Delta E-v) of the solar cells can be excavated by the V-oc transient. The rising rate of the V-oc transient curve, which has not been studied in previous research, is found to be dependent on E-in in Sill cells. The measurements of the V-oc transient curves at different excitation intensities are used as a powerful approach for analysis of the Delta E-v difference between SHJ cells with different mu c-SiOx:H emitters. Based on this analysis, it is demonstrated that the origin of the S-shaped J-V characteristics of SHJ cells lies in an inferior E-in and/or severe interface Delta E-v,and the role of Delta E-v is more dominant.
机译：使用开路电压（V-OC）瞬态制造和研究具有氢化微晶氧化硅（MU C-SiOx：H）发射器的硅杂函数（SHJ）太阳能电池。 可以通过V-OC瞬态挖掘太阳能电池的内置电场（E-IN），少数竞赛寿命，空穴迁移率和太阳能电池的H / C-SI异构表面算子偏移（DeltaeV） 。 发现V-OC瞬态曲线的上升率未在以前的研究中进行过依赖于窗台细胞中的e-in。 不同激励强度的V-OC瞬态曲线的测量用作分析SHJ细胞与不同MU C-SIOX：H发射器之间的ΔE-V差异的强大方法。 基于该分析，证明SHJ细胞的S形J-V特性的起源位于较差的E-in和/或严重的界面δe-V，并且Delta E-V的作用更大。

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