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一种硅晶磊晶层、相关的晶硅基板结构及利用晶硅基板制造的硅晶太阳能电池结构

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一种硅晶磊晶层、相关的晶硅基板结构及利用晶硅基板制造的硅晶太阳能电池结构，其中硅晶磊晶层包括一晶硅基板以及一金属浆料，晶硅基板的厚度为120.0微米与220.0微米间，金属浆料印制覆盖晶硅基板的至少一个全表面，金属浆料印制覆盖的厚度范围为5.0微米与300.0微米间，金属浆料包括一第一金属微粒与一助剂，且在晶硅基板全表面形成一厚度为6.0微米以上的硅晶薄膜，晶硅基板的阻值规格为0.05Ω．㎝以上，硅晶薄膜的阻值规格为0.0001Ω．㎝与1.0Ω．㎝间，金属浆料的黏度范围是10与500PaS间，而第一金属微粒的纯度是99.9%与99.9999%间，第一金属微粒的粒径范围为0.01微米与20.0微米间，第一金属微粒的重量百分比为70%与90%间，助剂的重量百分比为10%与30%间，第一金属微粒，是与硅晶能共溶的金属微粒，或其合金的微粒，或其相互混合的微粒。

著录项

  • 公开/公告号CN202549894U

    专利类型实用新型

  • 公开/公告日2012-11-21

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 致嘉科技股份有限公司;

    申请/专利号CN201120210726.X

  • 发明设计人 张嘉甫;陈文泰;

    申请日2011-06-21

  • 分类号

  • 代理机构北京挺立专利事务所(普通合伙);

  • 代理人叶树明

  • 地址 中国台湾新竹市牛埔东路386号

  • 入库时间 2022-08-21 23:37:06

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2014-08-13

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L31/18 授权公告日:20121121 终止日期:20130621 申请日:20110621

    专利权的终止

  • 2012-11-21

    授权

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