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【24h】

Demonstration of HOT LWIR T2SLs InAs/InAsSb photodetectors grown on GaAs substrate

机译：GaAs衬底上生长的热LWIR T2SLS INAS / INASSB光电探测器的示范

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We report on of high operating temperature (HOT) long-wavelength infrared radiation (LWIR) type-II super lattices (T2SLs) InAs/InAsSb photoconductor grown on buffered semi-insulating GaAs substrate. The absorber of the device consists of a 300 periods of T2SLs InAs/InAsSb. The high resolution X-ray diffraction (HRXRD), photoluminescence (PL), Hall, Optical Parametric Oscillator (OPO) measurements are presented and analyzed. The detector reached a 50% cut-off wavelength of 9.8 mu m and 10.4 mu m at 210 K and 230 K, respectively. The time constant of 24 ns is observed at 210 K under 0.5 V bias. The detectivity (D*) of similar to 2.0 x 10(10) cm Hz(1/2)/W at 210 K is reached.
机译：我们报告在缓冲的半绝缘GaAs衬底上生长的高工作温度（热）长波长红外辐射（LWIR）II型超晶格（T2SL）INAS / INASSB光电导体。 该装置的吸收器由300个T2SLS INAS / INASSB组成。 提出和分析了高分辨率X射线衍射（HRXRD），光致发光（PL），光学参数振荡器（OPO）测量。 检测器分别以210k和230k分别达到9.8μm和10.4μm的50％截止波长。 在0.5V偏置下，在210k下观察到24ns的时间常数。 达到与210k处的2.0×10（10 )cm Hz（1/2）/ w类似的探测（d *）。

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